本发明公开了一种用于红外焦平面器件的铁电单晶薄膜制备方法。其方法是将硅基衬底上的钽酸
锂(LiTaO
3)单晶薄膜剥离下来转移到特定的衬底上，保留单晶体材料的热释电性能，关键技术包括腐蚀硅基衬底的工艺条件、自支撑薄膜转移、电极制备与性能测试。首先，利用把硅基钽酸锂薄膜放置于腐蚀液中，在一定的温度下反应一段时间，然后转移到酒精中进行二次转移操作，使其在特定衬底上形成自支撑薄膜。然后，利用电子束蒸发制备上下电极，用自制的热释电系数测试系统测量单晶薄膜的热释电系数。该技术可以获得大面积、均匀的自支撑钽酸锂单晶薄膜，可用于制备高灵敏的非制冷红外焦平面器件。
声明：
“用于红外焦平面器件的铁电单晶薄膜制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
895
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
