大尺寸非极性面GAN自支撑衬底制备方法,在HVPE生长系统中将
铝酸
锂衬底放入反应器中后,先生长缓冲层。温度为500-800℃,然后升温至生长温度开始生长GAN,生长温度1000-1100℃。生长至合适的厚度后,停止生长;冷却后获得完整的自支撑GAN衬底,铝酸锂衬底自动分离。本发明利用了铝酸锂衬底和GAN之间的小的晶格失配来获得低位错密度的非极性面GAN薄膜;本发明方案充分利用两者之间大的热失配来使得二者相分离,无需按照一定降温速率降温,并且晶体质量明显改善,而且成品率高,采用本发明方案利于规模生产。
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来源：北方有色网
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