本发明提供了适用于半导体装置用层间绝缘材 料的、由仲烃基或叔烃基与硅原子直接相连的
硅烷化合物通过 化学气相成长法形成的绝缘膜用材料、由该材料形成的绝缘膜 及使用该绝缘膜的半导体装置。所述绝缘膜用材料含通式(1) 表示的有机硅烷化合物，该材料通过使有机卤化物与金属
锂反 应生成叔碳原子和锂直接连接的有机锂，再使该有机锂与卤代 烷氧基硅烷或四烷氧基硅烷反应而制得。式中， R1、 R2、 R3表示碳原子数1～20的烃基， R1、 R2、 R3可相互结合形成环状结构， R4表示碳原子数1～10的烃基或 氢原子，n表示1～3的整数。
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“含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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