本发明公开了光通讯和光学多路成像技术领域中一种可调二维光子微结构位相阵列器的制作方法。技术方案是,在掺镁铌酸
锂晶体基片上,利用成熟的半导体光刻技术工艺,并采用背向反转短脉冲极化电场技术,制作六角二维光子微结构位相阵列。由于掺镁铌酸锂晶体电光性能较佳,因此通过在带有二维光子微结构基片的±Z面上外加电场的调控,可以实现在0~2Π之间位相的连续改变,而且可以使掺镁铌酸锂晶体透光范围(5ΜM~320NM)内的任意光波实现位相周期分布场,最终使近场衍射的光强均匀分布。本发明通过使用掺镁铌酸锂晶体,直接加工制作微光学阵列元件,实现了晶体透光范围内任意波长的阵列发光,同时也简化了加工过程。
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来源：北方有色网
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