本实用新型公开了一种双MOS的MOSFET结构包括自下而上依次设置的衬底、外延层、外延层表面注入杂质形成的沟道区以及钝化层，所述沟道区和外延层内设有填充有
多晶硅的沟槽，所述钝化层内淀积有形成第一MOS单元的源极和栅极的第一顶层金属和第二MOS单元的源极和栅极的第二顶层金属。本实用新型将第一MOS单元和第二MOS单元集成在同一MOSFET结构中，节省了
芯片版图设计时中间划片槽的面积，从而减小了芯片整体的面积，降低了芯片成本。
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“双MOS的MOSFET结构及锂电池保护模块” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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