一种基于铌酸
锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法，该光栅耦合器包括：基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：绝缘体上铌酸锂光子
芯片以及设置于其上方的光纤，该绝缘体上铌酸锂光子芯片由上而下依次包括：汇聚型光栅耦合机构、二氧化硅埋层和硅衬底。本装置耦合效率较高且具有较大的工作波长带宽，便于大规模集成和用于对铌酸锂光子集成芯片上的器件进行性能测试。
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“基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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