本发明的一种(001)面暴露的TiN纳米片@
石墨烯锂硫
正极材料制备方法，包括以下步骤：将聚苯乙烯球溶于无水乙醇中溶解，标记为A；将悬浮液加入去离子水中，搅拌混合，标记为B；将GO加入到去离子水，搅拌混合，标记为C；将溶液A滴加到溶液B中搅拌，离心得到PS@Ti3C2球体；将PS@Ti3C2球体分散到去离子水中搅拌，将PS@Ti3C2溶液滴加到C溶液中，形成PS@Ti3C2/GO混合溶液，将该混合溶液制备为粉末状的前驱体；称取前驱体和三聚氰胺充分混合，然后在氩气氛围下将混合粉末加热得到由Ti3C2衍生的(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯微球簇锂硫正极材料。本发明的TiN纳米片具有定向暴露的(001)晶面，对多硫化锂具有良好吸附能力和催化作用，能有效提高活性物质利用率及锂硫电池循环稳定性。
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“(001)面暴露的TiN纳米片@石墨烯锂硫正极材料制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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