本发明公开了一种铌酸
锂薄膜光波导结构、
芯片及其制备方法，其中，铌酸锂薄膜光波导结构，包括下包层、薄膜基板和上包层，下包层形成于基底晶片的上方，薄膜基板放置于下包层的上方；还包括下述结构中的一种：第一：薄膜基板的上表面形成有脊形结构，脊形结构为在薄膜基板的上表面形成得到的凸起结构；上包层由形成于脊形结构的左侧、右侧以及上方的介质材料构成；第二：薄膜基板进行完全的刻蚀处理，形成独立的薄膜基板芯层，薄膜基板芯层放置于下包层的上方，上包层由形成于薄膜基板芯层的左侧、右侧以及上方的介质材料构成。本申请结构能够降低光波导的折射率差，减少高阶光波模式在铌酸锂薄膜光波导中的存在，并增大光波模式的空间分布尺寸。
声明：
“铌酸锂薄膜光波导结构、芯片及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
732
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
