本发明公开了一种大尺寸铌酸
锂单晶的晶体生长方法，其中多次提拉的方式为：将籽晶进入液面4mm，进入液面4mm后稳定10mi n后开始提拉并缩颈，缩颈时提拉速度8mm/h，升温速度8℃/h，缩颈宽度为1mm，提拉高度为2mm；将籽晶进入液面2mm，进入液面2mm后稳定10mi n后再次提拉并缩颈，缩颈时提拉速度4mm/h，升温速度4℃/h，缩颈宽度为2mm，提拉高度为4mm；将籽晶进入液面1mm，进入液面1mm后稳定10mi n后再次提拉并缩颈，缩颈时提拉速度1mm/h，升温速度2℃/h，缩颈宽度为4mm，提拉高度为8mm，本发明多次提拉的方式来改变大尺寸铌酸锂单晶的生长；有效提高铌酸锂单晶的质量。
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“大尺寸铌酸锂单晶及其晶体生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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