本发明涉及使用铌酸
锂化学机械抛光液对铌酸锂晶体高精密加工抛光后表面清洁技术。采用水抛实现的表面洁净,水抛液的主要化学成分包括活性剂、螯合剂、阻蚀剂和去离子水。当碱性抛光刚刚完成后,马上用上述水抛液并采用大流量水抛的方法,将残留的抛光液冲走,同时迅速降低表面张力、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物,从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛方法具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。
声明：
“铌酸锂晶片碱性CMP后的表面洁净方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
914
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
