本发明公开一种具有模式选择结构的铌酸
锂薄膜
芯片，包括铌酸锂薄膜基体，铌酸锂薄膜基体上施划出四个区域，其中，第一区域用于成型耦合器，将输入光束分为两束输出光束后输出；第二区域用于成型光栅波导，接收输出光束并将其中的近TM0模式光束改变为近TM1模式光束；第三区域用于成型过滤功能波导，滤除光栅波导输出光束中的近TM1模式光束后得到单偏振光束；第四区域用于成型Y波导，对单偏振光束进行分束后由两个第四传输臂传输，每一第四传输臂中传输的光束经光电调制后输出。本发明提供的芯片结构能进一步缩小Y波导与耦合器连接结构的体积，实现光纤陀螺整体体积的进一步小型化，使光纤陀螺具有小体积、高集成度的优势。
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“具有模式选择结构的铌酸锂薄膜芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：管理员
来源：北方有色网
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