本发明公开了一种可兼容CMOS工艺的硅基铌酸
锂混合集成电光调制器,包括：含有集成电路结构的硅基底晶片、键合于硅基底晶片上表面的光学级铌酸锂薄膜及其中的电光调制器光学波导、制作于光学级铌酸锂薄膜上表面的金属薄膜电极、金属薄膜电极与集成电路结构之间的电互连结构。本发明通过常规CMOS工艺实现了硅基集成电路与铌酸锂电光调制器的混合集成，可满足下一代光通信技术发展对光器件与信号处理模块集成化的要求，进一步提升光模块的性能、体积、功耗、可靠性等指标，降低光模块的制造成本。本发明还提供了一种制造的上述的可兼容CMOS工艺的硅基铌酸锂混合集成电光调制器的制造方法。
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“可兼容CMOS工艺的硅基铌酸锂混合集成电光调制器及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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