本发明公开了一种具有
镍酸
锂缓冲层的外延钛酸锶
铅薄膜及制备方法。在MGO基板的一面沉积一层缓冲层导电电极LNO薄膜,在缓冲层导电电极LNO薄膜上再沉积一层
钙钛矿相PST薄膜。其步骤如下:首先以
碳酸锂,氧化镍,碳酸铅,碳酸锶,氧化钛为原料,用固相烧结法分别制备镍酸锂靶材和钛酸锶铅靶材;其次将(001)MGO基板清洗后放入反应室,反应室抽真空,并加热基板,以氧气为保护气体,引入反应室中,脉冲激光溅射靶材,在基板上先后外延沉积镍酸锂缓冲层和钛酸锶铅薄膜。本发明制备方法简单,制得的钛酸锶铅薄膜外延性好,质量高,薄膜的介电可调性可达40%到70%。
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“具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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