本发明涉及一种能够控制铌酸
锂波导侧壁倾角的刻蚀方法，包括：提供预先制备的LNOI片作为衬底；在LNOI片的表面沉积SiO2层，作为刻蚀波导层的SiO2硬掩模；在SiO2层的表面旋涂双层电子束胶，并在LNOI片上限定出波导图案；在双层电子束胶的表面以及曝光出波导图案的区域沉积金属层，并将波导图案转移至金属层，作为刻蚀SiO2层的金属硬掩模；使用SF6和O2的混合气体对SiO2层进行刻蚀，并去除剩余的金属硬掩模；使用氯基气体和氩气的混合气体对波导层进行刻蚀，并调节氯基气体和氩气的比例，以对铌酸锂波导的侧壁倾角进行控制；去除剩余的SiO2硬掩模，并使用RCA标准清洗法进行清洗，获取最终的基于LNOI的铌酸锂波导。
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“能够控制铌酸锂波导侧壁倾角的刻蚀方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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