本发明涉及一种基于钼箔负载的MoS
2纳米片阵列结构的
锂离子电池的制备方法，属于
新能源材料及其器件制备技术领域。本发明以MoO
3和S粉为蒸发源，通过简单的一步化学气相沉积法，直接在钼箔上生长出MoS
2纳米片阵列结构，并将其直接用作锂离子电池的阳极材料；配合
金属锂箔阴极、
隔膜、
电解液等直接组装成了锂离子电池。采用本技术制备的锂离子电池阳极材料，MoS
2纳米片阵列结构产量大、纯度高、结晶性好、形貌规整；MoS
2纳米片阵列结构紧密地结合在钼箔上；且合成生长条件严格可控、设备和工艺简单、成本低。采用本技术制备锂离子电池，过程简单、环境友好、无污染、无需后处理；且这种新型锂离子电池比容量高，充放电循环稳定性稳定。
声明：
“基于钼箔负载的二硫化钼纳米片阵列结构的锂离子电池的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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