本申请公开了一种单片集成的基于薄膜铌酸
锂的分束调制
芯片，其特征在于，包括基底层、下包层、波导芯层、金属层和上包层；基底层、下包层和波导芯层自下而上连接，上包层位于波导芯层上方，金属层位于波导芯层中波导的两侧，并穿过上包层连接波导芯层和外界空气；基底层用作芯片支撑，下包层用作为波导芯层提供高折射率对比度，金属层用作电光调制或吸收杂散光，上包层用作保护所述波导芯层；波导芯层集成有分束调制芯片，用于对光源进行分束调制，波导芯层为薄膜铌酸锂。本申请在薄膜铌酸锂材料上实现了高集成度、小型化和低成本的分束调制芯片，同时确保了系统的高稳定性。
声明：
“单片集成的基于薄膜铌酸锂的分束调制芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
718
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
