一种基于氧化硅掩膜的铌酸
锂光子
芯片制备方法，利用等离子体增强气相沉积法沉积得到用于保护铌酸锂图案的二氧化硅掩膜层，然后依次涂设导电胶和光刻胶并通过电子束光刻得到所需图案，实现亚微米级的脊状波导的制备，再通过反应离子刻蚀以及采用氩离子刻蚀铌酸锂，形成带有二氧化硅掩膜的铌酸锂图案层和脊状波导。本发明能够实现宽度在亚微米量级的传输损耗低的片上脊状波导且具有较高的加工效率、加工精度高和加工可控性，可用于制备的侧壁光滑度高、光学传输损耗低的光学波导及其他相关的片上微纳光学元件。
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“基于氧化硅掩膜的铌酸锂光子芯片制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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