本发明提供了一种铌酸
锂电光调制器，包括衬底、基于绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)制成的脊型波导、电极、电介质(Dielectrics)以及覆盖层。其中，铌酸锂薄膜置于一层微米厚度的绝缘体上，绝缘层为二氧化硅,铌酸锂薄膜的厚度为300‑900纳米。首先在铌酸锂薄膜上加工出脊型波导，在脊型波导的两侧各设置有电极，在脊型波导与电极之间的区域填充有电介质。在脊型波导、电极以及电介质的上方设置有覆盖层。电介质的介电常数大于覆盖层的介电常数。本发明还提供了一种制备铌酸锂电光调制器的方法。本发明提供的铌酸锂电光调制器，可在不改变波导和电极结构的前提下，将半波电压降低至原本的1/4左右，且不引入额外的生产成本。
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来源：北方有色网
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