本发明公开一种封装有光电探测器的铌酸
锂薄膜强度调制器及其制备方法，通过在铌酸锂薄膜强度调制器内部制作定向耦合器的结构，把铌酸锂薄膜强度调制器的泄露光传输到与铌酸锂薄膜强度调制器封装在一个封装壳体内的探测器，探测器的信号输出端直接与封装壳体上的引针连接，封装壳体的引针直接与偏置控制电路连接从而将泄漏光转换的电信号反馈给偏置控制电路能够实现铌酸锂薄膜强度调制器的工作点功率监控。本发明提供的上述结构降低了电路损耗，结构紧凑，简化了铌酸锂薄膜强度调制器监控电路的装配结构。
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“封装有光电探测器的铌酸锂薄膜强度调制器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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