本发明涉及光纤通信传输技术领域，具体涉及一种铌酸
锂光调制器及其制备与封装方法，旨在解决现有技术中铌酸锂波导
芯片的尺寸较大、制备工艺较为复杂、封装工艺较为简陋的问题，其技术要点在于使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸，从而减小铌酸锂光调制器上金属电极之间的间距，进而使得所需调制电压低；通过调节氢化非晶硅的厚度在保证波导尺寸的前提下最大化器件的光电效应，通过控制二氧化硅的厚度以及金属电极的厚度，能够保证较好的射频匹配，而与外界连接的光纤接口通过在穿过波导层的波导线实现；完善的封装工艺可以降低漏电现象发生的概率，避免因环境潮湿而导致的短路现象的发生。
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“铌酸锂光调制器及其制备与封装方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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