本发明属光电材料领域。它提供了一种生长近化 学计量比铌酸
锂晶体的方法 : 采用填加K2O助溶剂的方法, 降低铌酸锂的熔点, 提高晶体的锂铌比, 在熔融状态下, 利用提拉法生长近化学计量比铌酸锂晶体(包括名义纯和各种掺杂)。该技术生长的晶体中Li2O的含量在49mol%以上, 且光学质量好, 适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导其激光器、倍频、参量振荡、高密度信息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。
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“近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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