本发明提供的一种基于薄膜铌酸
锂电光调制器阵列的片上集成光信号处理器，包括MZI电光调制器阵列，用于接收输入光信号进行调整，输出位相调整结果和强度调整结果；MZI电光调制器阵列包括多个MZI电光调制器；每一个MZI电光调制器的第一输入波导、第二输入波导、第一臂波导、第二臂波导、第一输出波导和第二输出波导都是用薄膜铌酸锂制备而成。将本发明公开的薄膜铌酸锂MZI电光调制器按照一定规则进行级联，可以实现光学矢量‑矩阵乘法运算。本发明利用薄膜铌酸锂的电光效应来控制MZI电光调制器的位相和强度变化，因此使用本发明公开的基于MZI电光调制器阵列的片上集成光信号处理器，功耗极低，每字节功耗小于20fJ。
声明：
“基于薄膜铌酸锂电光调制器阵列的片上集成光信号处理器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1104
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
