本发明公开了一种T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸
锂调制器及方法。包括层叠的衬底、埋氧层、铌酸锂层和包层，铌酸锂层上形成薄膜铌酸锂光波导，薄膜铌酸锂光波导包含输入输出光栅耦合器、两个分束器和马赫曾德尔结构；马赫曾德尔结构的包层上设T结构金属电极、金属行波信号电极和金属行波接地电极；马赫曾德尔结构两臂间有金属行波信号电极，金属行波信号电极位于马赫曾德尔结构两臂之间，马赫曾德尔结构两臂外设有金属行波接地电极。光栅耦合器的包层上设有金属反射镜，光纤从
芯片背面连接光栅耦合器，因此铌酸锂调制器可倒装焊接于芯片底座上，本发明首次在硅基衬底下同时实现了超低功耗，超大电光带宽的薄膜铌酸锂电光调制器。
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“T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸锂调制器及方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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