本发明提供一种宽带温度不敏感和低色散的铌酸
锂光波导结构，包括铌酸锂平板层，所述铌酸锂平板层上面设置有条状铌酸锂层；平板层和条状层铌酸锂上面有TiO
2覆盖层；平板层下面是SiO
2衬底层；本发明提出了利用具有负热光系数的TiO
2覆盖到刻蚀的铌酸锂
芯片上获得对温度不敏感的宽带低色散光波导，该结构能够加工成各种集成光子器件，可以极大提升器件性能。
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“宽带温度不敏感和低色散的铌酸锂光波导结构及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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