本发明涉及硅薄膜太阳电池的窗口层，特别是p 型窗口层的结构和制备技术，属于新能源中薄膜太阳电池的技 术领域。硅薄膜太阳电池用p型窗口层，由透明衬底、透明导 电薄膜、p型窗口层等组成，其特点在于：P层分为 P1和 P2两层， P1层是具有高晶化率宽带隙纳 米硅的薄膜，厚度比P2层要薄一 个数量级。在设计p型窗口层时，采用双层p型掺杂层结构。 调控两层的晶化率、掺杂浓度与厚度，来达到晶化和掺杂效果 分别完成、最终合成一致达到高电导、高晶化率同时得以满足 的效果，为随后微晶硅有源层的生长提供良好晶化基础，并以 高电导的p型掺杂提供高开路电压和低的串联电阻，从而在保 证稳定性基础上提高电池效率，有利展示薄膜电池低成本的优 势。
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来源：北方有色网
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