本发明涉及一种表面富硒的NiSe2纳米片的制备方法，属于无机半导体
纳米材料技术领域。本发明先合成Ni(OH)2薄片，然后在高温下硒(Se)化得到表面富硒的NiSe2纳米片。本发明所合成的富硒的NiSe2纳米片化学性稳定、结晶性好、析氢性能优良，同时，本发明所述方法制备工艺简单，操作方便且成本低，利用本发明方法可制造
电化学析氢
半导体材料，应用在新能源领域。
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“表面富硒的NiSe2纳米片、其制备方法及用途” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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