本发明公开了属于
光伏新能源材料技术领域的一种连续制备
铜铟镓硒硫
太阳能电池吸收层的工艺。首先制备CuInGa合金预制膜,再采用连续式硒化硫化炉对CuInGa合金预制膜进行硒化硫化。采用磁控溅射的方法制备CuInGa合金预制膜,实现了大面积、成分均匀的薄膜的制备;采用低毒性的固态硒源、硫源制备CIGSeS/CIGSe复合薄膜,避免使用剧毒硒源,提高了实验和生产的安全性;采用连续的硒化硫化工艺制备复合薄膜,提高了吸收层的质量,制备出具备S成分梯度分布的CIGSeS/CIGSe复合薄膜,形成沿厚度方向具有禁带梯度分布的吸收层,提高了对太阳光谱中能量的吸收,显著改善了CISe系太阳能电池的光电转换效率。
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来源：北方有色网
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