一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜及其制备方法和应用，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。现有聚偏氟乙烯还难以满足现在嵌入式电容器以及半导体储存器件生产应用的需求。本发明包括制备多形貌的棒状、线状、球状和立方状纳米银@二氧化硅核壳无机粉体，同时用多形貌的纳米银@二氧化硅核壳粉体改性聚偏氟乙烯，得到一种高介电常数低介电损耗的聚合无机
复合材料。可用于制作现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的原材料。
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来源：北方有色网
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