一种使用高熵合金连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法，涉及一种连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法。本发明是要解决目前SiC陶瓷的连接技术在核应用背景下效果较差的技术问题。本发明中使用的连接温度较低，并未达到AlCoCrFeNi2.1高熵合金的熔点，主要通过高熵合金中的Ni和Cr元素与SiC反应，在界面生成局部瞬时液相实现连接，可以实现低温连接和高温使用。本发明利用具有优异的高温性能和抗辐照性能的AlCoCrFeNi2.1高熵合金作为连接材料来连接SiC陶瓷或SiCf/SiC
复合材料，有望使得该焊接结构在核电领域运用，提高核电包壳材料的可靠性。
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来源：北方有色网
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