本发明涉及一种通过晶格对称性匹配二维材料模板实现金属有机框架表面外延生长的制备方法。采用化学气相沉积法，在
铜箔上生长出
石墨烯，或采用液相剥离法制备石墨烯；以所得的石墨烯为模板，采用溶剂热法，在石墨烯表面外延生长出金属有机框架材料；所述模板基底还可以是其它二维材料（如硫化钼）。要求二维模板材料和二维金属有机框架具有匹配的晶格对称性，符合外延生长的重合位置点阵匹配理论。通过本方法得到的金属有机框架薄膜具有高度的晶面选择性，以及与模板耦合作用强的综合性能。本方法分步控制，操作简单，可根据性能要求更改外延生长模板材料，并可以在不同种类金属有机框架上拓展，可以精确构造符合需求的金属有机框架
复合材料。
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“通过晶格对称性匹配二维材料模板实现金属有机框架表面外延生长的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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