本发明公开了一种
石墨烯/衬底复合导电材料的制备方法，属于石墨烯转移领域，该制备方法为：首先采用CVD法在
铜箔上生长石墨烯，形成石墨烯/铜复合膜；然后将石墨烯/铜复合膜以石墨烯面向上置于成型模具中，采用成型工艺将衬底流体均匀涂覆在石墨烯上，固化，得到衬底/石墨烯/铜三层
复合材料；最后去除铜层，即得石墨烯/衬底导电材料。其优点为：本发明运用流体贴合形式进行石墨烯导电膜的制备，克服了因转移导致的石墨烯的皱褶、破损、裂缝等缺陷；极大提高了复合导电材料的电学性质；提高了石墨烯的纯度，拓宽了石墨烯导电材料的应用范围；操作简单，耗时短，成型快，极易大批量生产。
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来源：北方有色网
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