本发明提供一种“后半导体工艺”集成电路器件及MEMS器件的整体制备方法,用这些制备方法可以实现的结构,以及用这些结构组合成的集成MEMS器件。根据本发明的方法,在完成半导体工艺的半导体基片上生成某些低温工艺(这里指低于400℃的工艺)制作的膜,此膜与半导体基片上固有的多晶栅导电层共同构成复合膜。接下来,在此膜上再次生成某些低温工艺制作的膜,来做为牺牲膜;在牺牲膜上再次生成某些低温工艺制作的单材料或者
复合材料的膜,来做为MEMS器件的另外一层结构层;最后此器件可以用干法刻蚀、湿法腐蚀或者干法刻蚀和湿法腐蚀的组合去掉牺牲膜,释放形成最终的MEMS器件。
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“多晶栅导电层构成的集成微机电系统器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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