本发明涉及一种复合氧化物
半导体材料的制备方法。包括以下步骤：1）将一定量的二水合氯化
铜和铁盐溶解于溶剂中，搅拌得到混合溶液；2）将一定量的十二烷基苯磺酸钠溶于溶剂中，搅拌溶解后缓慢滴加到步骤1）的混合溶液中；3）将一定量的氢氧化钠溶解于溶剂中，将其缓慢滴到步骤2）的混合溶液中，得到前驱体溶液，然后置于密封不锈钢高压釜中，将反应釜放入恒温烘箱中高温反应一定时间；4）借用外加磁场取出反应釜中产物洗涤、干燥，获得复合半导体材料。本发明的特点：采用一步溶剂热法，方法简单、成本低；
复合材料有效避免了半导体光生电子与空穴的复合，提高了光催化降解效率；作为磁性材料，易于回收、重复利用。
声明：
“复合氧化物半导体材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
881
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
