本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法，所述的低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法为：在聚酰亚胺基体中加入表面接氟的介孔二氧化硅形成
复合材料，一方面加入中空填料引入空气可以降低薄膜的介电常数，除此之外，表面的氟元素具有强的吸电子效应，也会降低聚酰亚胺薄膜的离散电子能级，可以进一步降低聚酰亚胺复合薄膜的介电常数。使得复合薄膜的介电常数最低可降至2.6左右，并且薄膜的热性能并没有出现显著的降低，本发明方法简单可行且经济成本低，在电子和微电子行业具有广阔的应用前景。
声明：
“低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
786
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
