本发明属于纳米
复合材料合成技术领域，具体涉及一种可控制备复合型纳米图纹阵列的方法。在有序纳米图纹化结构模板表面溅射一层Ag膜后形成Ag纳米帽子阵列以及Ag纳米三角形阵列；再将Ag纳米帽子阵列倒置转移到另一个Si衬底上，得到二次模板；将PS小球完全刻蚀，得到Ag纳米碗阵列；对PS小球进行刻蚀不同时间，并在其表面溅射沉积一层TiO
2膜分别得到Ag‑TiO
2‑FON阵列、Ag‑TiO
2纳米帽‑星阵列以及Ag‑TiO
2纳米环‑粒子阵列。本发明克服了现有技术中的有序纳米结构活性基底的构筑步骤繁琐、有序性与致密度较低，同时制备周期长、费用昂贵、试验条件要求苛刻等缺陷，因而具有均匀性好、有序度高、可重复性强、构筑步骤简单、制备周期较短以及成本较低的优点。
声明：
“可控制备复合型纳米图纹阵列的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
913
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
