提供一种等离子体蚀刻方法，其在半导体制造工艺中，可以对掩模材料选择性地加工由SiO
2、SiN之类的单独的材料、或SiO
2、SiN的
复合材料形成的膜，而且加工时得到良好的垂直加工形状。将包含通式(1)：Rf
1‑S‑Rf
2(1)(式中，Rf
1为CxHyFz所示的一价的有机基团，Rf
2为CaHbFc所示的一价的有机基团)式(1)所示的具有硫醚骨架的气体化合物的混合气体、或将单独进行等离子体化，对由SiO
2、SiN之类的单独的材料、或复合材料形成的膜进行蚀刻，从而与使用通常的氢氟碳气体的情况相比，氟原子的含量少，而且包含硫原子的保护膜沉积，从而可以实现改善与掩模材料、其它非蚀刻对象材料的选择性、降低对侧壁的损伤、抑制向横向的蚀刻等。
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来源：北方有色网
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