本发明公开了一种晶圆级二维半导体器件的范德华集成方法，将载体‑聚合物印章复合在接触电极表面，进行剥离处理，将接触电极中的金属电极阵列从接触电极基片上转移至载体‑聚合物印章上，获得载体‑聚合物‑金属电极材料；所述的载体与聚合物之间存在化学改性赋予的化学键合作用；在背栅电极表面复合过渡金属卤素类化合物二维材料，获得背栅电极‑TMDs
复合材料；载体‑聚合物‑‑金属电极材料和背栅电极‑TMDs复合材料根据需要的集成电路方式进行对准，随后剥离载体‑聚合物印章，并进行刻蚀处理，获得晶圆级二维半导体器件。本发明大规模范德华集成方法可为二维半导体器件的可靠集成开辟一条道路，促进二维半导体电子器件的实际化应用。
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来源：北方有色网
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