本发明涉及一种采用共沉淀+热蒸发技术原位合成锥状SiC晶须的制备方法，通过CVI法在
碳纤维预制体上沉积一层碳，填补预制体表面缺陷和提供充足的反应原料；其次将预制体放入含有催化剂的尿素溶液中浸渍，煅烧、还原制得纳米催化剂；再将该含有纳米催化剂的样品悬挂于装有硅粉与碳粉均匀混合的石墨模具内部顶端位置，之后经过一定温度的热处理，即可制得锥状SiC晶须。本发明制备方法简单、无污染且安全稳定，可有效地提高
复合材料的防氧化能力、断裂韧性、抗蠕变能力以及基体与增强体的结合强度。可应用于碳/碳、碳/陶、镁基以及
铝基复合材料中，具有很好的经济及社会效益。
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“共沉淀与热蒸发技术原位合成锥状SiC晶须的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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