本发明提供了聚苯胺/n-型单晶硅复合电极材料及其制备方法。该聚苯胺/n-型单晶硅
复合材料，为磺化聚苯胺体系通过苯环上的C原子与单晶硅表面的Si原子以Si-C共价键的形式与单晶硅表面相连。其制备方法是将对溴苯胺嫁接到单晶硅表面，再以此为基底材料通过聚合反应制备聚苯胺/n-型复合电极，并在聚合有机链的苯环上链接磺酸根，最终得到磺酸修饰的聚苯胺/n-型单晶硅复合材料。该材料在模拟太阳光的照射下，光电流密度值可以达到3.446mA·cm-2，开路电压达到-0.300V。
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来源：北方有色网
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