本发明公开了一种基于GaAsBi-Ga(In)AsN材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管，解决现有III-V族材料制备的隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、漏极(2)、沟道(3)、源极(4)、氧化层(5)和栅电极(6)。沟道和漏极均采用Bi组分为(0,0.09]的GaAsBi
复合材料；源极采用N组分为(0.0,0.1]的Ga(In)AsN复合材料；源极、沟道、漏极依次竖直分布，氧化层与栅电极包裹在沟道外部。本发明通过源极Ga(In)AsN与沟道GaAsBi的相互接触形成交错型异质隧穿结，减小了隧穿势垒高度，增大了隧穿几率和隧穿电流，提升了器件的整体性能，可用于制作大规模集成电路。
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来源：北方有色网
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