本发明属于二硫化钼
复合材料的制备领域，具体涉及一种分等级结构MoS2@rGO的制备方法。将hummers方法制备的氧化
石墨烯和Mo3O10(C2H10N2)分散于去离子水中，超声0.5h后，加入L?半胱氨酸，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得MoS2纳米片垂直生长在石墨烯表面的MoS2@rGO。该制备方法简单，重复性好，有利于大规模生产，具有潜在的应用价值。
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“分等级结构MoS2@rGO的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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