本发明提供了一种高性能Diamond/SiC电子封装材料的制备工艺,其特征是首先按重量百分比,将10～15%的粘接剂,5～20%的石墨,20～40%的硅粉,30～60%的金刚石颗粒湿混,混合时间16～24h。然后在10～50MPa压力和150℃的温度下温压成形获得
复合材料毛坯。在氩气保护气氛中1100℃烧结24h,随炉冷却后得到具有一定强度和孔隙度的Diamond/Si/C多孔基体。然后将气相渗透的渗料置于
石墨坩埚中,将所制备的Diamond/Si/C多孔基体置于该石墨坩埚上,然后整体置于高真空烧结炉中进行真空气相渗透1-2h,渗透温度1500～1650℃,真空度-0.08～-0.01MPa。随炉冷却后即可获得致密的Diamond/SiC电子封装材料。本发明是一种周期短、工艺简单、设备要求较低、成本低,并可制备复杂形状致密Diamond/SiC电子封装材料的方法。
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来源：北方有色网
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