本发明公开了一种多层钛酸钡与多层铁酸
钴磁电复合薄膜的制备与转移方法，主要解决现有1-3结构的
复合材料不能同时减小衬底钳制效应和漏电的问题。其实现步骤是：先在蓝宝石衬底沉积一层氧化镁薄膜，并在其上交错沉积多层铁酸钴薄膜和多层钛酸钡薄膜；再在最后一层钛酸钡薄膜表面旋涂上聚甲基丙烯酸甲酯，用硫酸铵溶液除去单晶氧化镁薄膜，使附有聚甲基丙烯酸甲酯的磁电复合薄膜与蓝宝石衬底脱离；再将脱离蓝宝石衬底的磁电复合薄膜转移到后续所需的衬底上，得到多层铁酸钴薄膜和多层钛酸钡薄膜复合的自支撑磁电薄膜。本发明得到的多层钛酸钡和多层铁酸钴复合薄膜表面耦合大，增强了磁电特性，减小了衬底钳制和漏电问题，可用于磁电传感器的制备。
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“多层钛酸钡与多层铁酸钴磁电复合薄膜的制备与转移方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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