本发明涉及一种基于切割硅废料制备硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极的方法。本发明将切割硅废料除杂后进行金属辅助刻蚀处理得到纳米金属/多孔硅
复合材料，纳米金属/多孔硅复合材料经与硼源混合后高温处理，使硼对硅形成替位式掺杂，再与
碳材料复合得到硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极。本发明硅的多孔结构以及碳材料的加入可以缓解硅的体积膨胀，增加循环稳定性，金属粒子在硅基体表面与硅物理复合结合硼在原子尺度上对硅的化学掺杂协同作用，最终实现硅基复合材料本征电导率的提高和
电化学活性的改善，从而制备出高充放电比容量及长循环寿命的硼掺杂纳米金属/硅碳复合
负极材料。
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“基于切割硅废料制备硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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