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QLED器件及其制备方法

854   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-18 17:01:37
本发明提供了一种QLED器件,包括依次设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层和阴极,且所述空穴注入层由MoOx/PANI纳米复合材料制成,或所述空穴注入层中含有MoOx/PANI纳米复合材料,其中,所述MoOx/PANI纳米复合材料为聚苯胺包覆的一维MoOx纳米材料
声明:
“QLED器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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