本发明公开了一种银掺杂的硅和二碲化钨复合
负极材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将四氯化碲与离子液体混匀，在惰性气体氛围中，加热至溶液呈亮黄色，然后加入四氯化钨混匀得到前驱体溶液；S2、将前驱体溶液置于硅基底表面，微波辐照，粉碎，除磁得到
复合材料；S3、将复合材料均匀分散于有机溶剂中，加入硝酸银混匀，然后进行还原反应得到银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料。本发明还公开了一种银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料及其应用。本发明制备硅和二碲化钨复合材料，改善硅材料体积膨胀和导电性差的问题，并结合银掺杂在提升材料导电性能的同时，改善二碲化钨二维结构循环过程中结构容易崩塌的问题，优化材料整体的
电化学性能。
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“银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料及其制备方法、应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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