本发明涉及一种高介电三相复合电介质材料及其制备方法。本发明所提供的电介质
复合材料由聚合物基体聚偏氟乙烯PVDF和导电填料多壁
碳纳米管CNT及陶瓷填料
碳化硅SiC组成。复合材料中，PVDF所占的体积百分比为77‑97%，碳纳米管所占体积百分比为1‑9%，碳化硅所占体积百分比为1‑14%。本发明通过将PVDF、CNT、SiC粉末和溶剂DMF混合，磁力搅拌12±0.1h，将所得前驱体溶液在玻璃板上涂膜后，于80±1°C干燥6±0.1h，得到固体复合薄膜。所得薄膜在冶炼机内熔融共混以进一步提高纳米粒子分散性，控制混炼温度200±1°C，转速20 rpm，混炼时间30分钟。所得熔体在室温下注射成型制备良好分散的电介质复合材料。与PVDF/CNT两相复合材料相比，本发明所提供的三相复合材料具有更加优异的介电性能。
声明：
“高介电常数三相纳米复合电介质以及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1007
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
