本发明涉及一种
芯片背面
复合材料多层金属化方法,属集成电路或分立器件制造技术领域。所述方法是在硅衬底层减薄后进行腐蚀或抛光处理,在其背面蒸镀金接触层,并在高温(350℃～450℃)下使金接触层进行间隙扩散,金与硅材料形成金-硅共溶层;再在金接触层背面依次蒸镀阻挡层和金属保护层;所述阻挡层材料为
锡铜合金,金属保护层材料为锡或铜或银或金。本发明的有益效果是:本发明利用金-硅共溶层合金效果降低芯片内部残余应力,整体金属化结构采用多层金属分布减少贵重材料消耗,利于大规模生产制造。
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“芯片背面复合材料多层金属化方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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