本发明公开了一种碲‑氮化硼
复合材料及其制备方法和场效应器件，该制备方法包括以下步骤：S1、在基板上制备氮化硼纳米管；S2、在所述氮化硼纳米管的表面覆上光刻胶，然后采用光刻工艺结合反应离子刻蚀工艺，将所述氮化硼纳米管切割成具有两端开口的段体，去除所述光刻胶；S3、将步骤S2得到的基板浸入45～55℃的氨水中处理，然后置于空气氛围中在800～900℃热处理；S4、将步骤S3得到的基板和碲粉置于真空密闭体系中，在300～500℃加热。本发明使用氮化硼纳米管作为碲半导体的包覆材料，解决碲纳米线材料在常温空气条件下工作稳定性差的问题，在场效应器件中具有更好的应用前景。
声明：
“碲-氮化硼复合材料及其制备方法和场效应器件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1136
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
