本发明公开了一种制备聚吡咯/凹凸棒土纳米导电
复合材料的方法,先向去离子水中加入凹凸棒土配制成凹凸棒土浆料,水与凹凸棒土的质量比为4～19∶1;将吡咯单体和掺杂剂分别加入到凹凸棒土浆料中搅拌均匀,吡咯与凹凸棒土的质量比为0.1～0.5∶1,掺杂剂与吡咯的摩尔比为0.15～1.05∶1;再在混合浆料中加入氧化剂,氧化剂与吡咯的摩尔比为1～5∶1,在10～60℃下化学氧化聚合10～30MIN;最后进行固液分离后用去离子水洗涤至滤液为无色;将滤饼于60～150℃下干燥、粉碎得到聚吡咯/凹凸棒土纳米导电粉体。本发明采用快速化学氧化原位聚合的方法,在一维纳米棒状凹凸棒土单晶表面包覆上导电高分子聚吡咯制得,不需特殊前处理,合成工艺简单快捷,导电性能优异,热稳定性能优良。
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来源：北方有色网
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